一种提高单层MoS₂发光效率的分子修饰方法

摘要

本发明公开一种提高单层MoS₂发光效率的分子修饰方法，具体通过有机分子修饰提高单层MoS₂发光效率。本发明使用甲苯乙醇溶液，对微机械剥离制备的MoS₂样品进行修饰得到分子修饰的单层MoS₂样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜等对修饰样品的形貌、光学性质等进行了测试分析。本发明方法通过分子修饰单层MoS₂，将单层MoS₂发光效率实现提高31.59倍。此前有报道，在真空下通过复杂的退火过程，控制气体压强得到35倍的增强效果。这种真空退火法工艺复杂，增强效果不稳定。本发明方法相比较之，具有发光效率增强效果明显，实验操作简单，可行性强，制备周期短，成本低，在室温下操作，无毒无污染的优点。

主权项

一种提高单层MoS₂发光效率的分子修饰方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤(1)、对SiO₂(280～300nm)/Si衬底进行预处理：利用具有强氧化性化合物溶液清除衬底表面可能存在的有机物分子；步骤(2)、对步骤（1）预处理后的衬底采用微机械剥离方法或者得到MoS₂样品；步骤(3)、用浓度为1.007×10^‑3～1.005×10^‑9mol/L的甲苯乙醇溶液均匀涂覆在MoS₂样品表面，或将上述MoS₂样品浸到甲苯乙醇溶液中采用提拉法，得到最终产品。