发明名称 存储器控制器、数据存储装置和存储器控制方法
摘要 为了以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化,在页利用率R小于阈值Rth1的情况下和在写入数据是高频率重写数据的情况下将写入数据存储至ReRAM中。此外,在ReRAM的空闲空间Semp2小于阈值Sth的情况下(步骤S110),如果ReRAM数据是低频率重写数据并且在将对象数据存储至闪速存储器(22)中的情况下的页利用率R大于或等于阈值Rth3(步骤S120、S130),从ReRAM读出转移列表中所存储的N个逻辑页地址中所包含的逻辑扇区中的数据,并写入闪速存储器(步骤S140-S160)。通过这种方式,能够以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化。
申请公布号 CN104798055A 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201380060156.2 申请日期 2013.08.20
申请人 学校法人中央大学 发明人 孙超;宫地幸祐;竹内健
分类号 G06F12/16(2006.01)I;G06F12/06(2006.01)I 主分类号 G06F12/16(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种存储器控制器,用于对第一存储器和第二存储器进行控制,所述第一存储器被配置为通过如下的写入操作来写入数据的非易失性存储器,其中,在该写入操作中,以包括多个扇区的页为单位读出数据,利用读出的数据中的写入数据覆盖与所述写入数据相对应的扇区,然后以页为单位写入数据,并且所述第二存储器被配置为与所述第一存储器相比允许进行更快的数据写入的非易失性随机存取存储器,所述存储器控制器包括:写入控制器,用于当输入了所述写入数据和请求写入所述写入数据的写入请求信号时,对所述第一存储器和所述第二存储器进行控制,以使得在将所述写入数据写入所述第一存储器时所获得的数据利用率等于或高于第一比率的情况下通过所述写入操作来将输入的写入数据写入所述第一存储器;并且对所述第一存储器和所述第二存储器进行控制,以使得在所述数据利用率低于所述第一比率的情况下将输入的写入数据存储至所述第二存储器中,其中,所述数据利用率表示具有预定大小的存储区域中用于存储所述写入数据的扇区大小的比率;以及数据转移控制器,用于在所述第二存储器中的空闲空间小于预定容量的情况下,至少将所述第二存储器中所存储的数据是具有低重写频率的低频率重写数据作为必要条件,来执行数据转移控制,该数据转移控制对所述第一存储器和所述第二存储器进行控制,以使得将所述低频率重写数据从所述第二存储器读出以通过所述写入操作写入所述第一存储器。
地址 日本东京都