| 发明名称 | 使用中部制程（MOL）导电层的电容器 | ||
| 摘要 | 一种用于制造金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法包括将第一中部制程(MOL)导电层沉积在半导体基板的浅沟槽隔离(STI)区上。该第一MOL导电层提供了该MIM电容器的第一极板(330)、以及去往半导体器件的源极和漏极区(104、106)的第一组局部互连(120-1…4)。该方法还包括将绝缘体层(340)沉积在该第一MOL导电层上以作为该MIM电容器的介电层。该方法进一步包括将第二MOL导电层(350)沉积在该绝缘体层上以作为该MIM电容器的第二极板。 | ||
| 申请公布号 | CN104798219A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380060433.X | 申请日期 | 2013.11.21 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | PR·齐达姆巴兰姆;B·杨 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种制作电容器的方法，包括：将第一中部制程(MOL)导电层沉积在半导体基板的浅沟槽隔离(STI)区之上以作为所述电容器的第一极板，并且还作为去往半导体器件的源极区和漏极区的第一组局部互连；将绝缘体层沉积在所述第一MOL导电层上；以及将第二MOL导电层沉积在所述绝缘体层上以作为所述电容器的第二极板。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||