| 发明名称 | 半导体发光元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该方法包含：提供第一基板(20)；提供半导体外延叠层(110)；提供第一粘着层(135)连接第一基板(20)及半导体外延叠层(110)；图案化半导体外延叠层(110)为多个外延单元并使彼此自第一基板(20)上分离；提供第二基板(30)，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板(30)的表面上；切割第一基板(20)以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板(30)以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元(201)和多个第二外延单元(202)。每一第一外延单元(201)具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元(202)具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。 | ||
| 申请公布号 | CN104798175A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380059691.6 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名;徐子杰;邱新智;吕志强;林敬倍 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | PCT国内申请，权利要求书已公开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||