发明名称 |
用于制造基于碳纳米管的真空电子器件的系统和方法 |
摘要 |
根据本发明的实施例所述的系统和方法专业地生产基于碳纳米管的真空电子器件。在一个实施例中,制造基于碳纳米管的真空电子器件的方法包括:使碳纳米管生长到衬底上以形成阴极;组装包括所述阴极、阳极和包括对准槽的第一层的叠层;在所述叠层的组装期间将微球体部分地设置到所述对准槽中,使得所述微球体从所述对准槽伸出并且可以由此将所述第一层和相邻层分离;以及将所述叠层包封在真空密封容器中。 |
申请公布号 |
CN104798170A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201380060306.X |
申请日期 |
2013.11.21 |
申请人 |
加州理工学院 |
发明人 |
哈里什·马诺哈拉;户田利作;琳达·Y·德尔卡斯蒂罗;拉可什·莫西 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
张瑞;郑霞 |
主权项 |
一种用于制造基于碳纳米管的真空电子器件的方法,所述方法包括:使碳纳米管生长到衬底上以形成阴极;组装叠层,所述叠层包括:所述阴极;阳极;以及包括对准槽的第一层;在所述叠层的组装期间将微球体部分地设置到所述对准槽中,使得所述微球体从所述对准槽伸出并且可以由此将所述第一层和相邻层分离;以及将所述叠层包封在真空密封容器中。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |