发明名称 |
快闪存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种快闪存储器,包括衬底、第一栅极结构、源极区与漏极区、自行对准接触窗、第一介电层以及第二介电层。第一栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的第一栅极结构间的衬底中。自行对准接触窗位于第一栅极结构之间,且位于源极区与漏极区上。第一介电层围绕自行对准接触窗,且在对应第一栅极结构处具有凹陷。第二介电层位于第一介电层中,且填满凹陷,第二介电层的介电常数低于第一介电层的介电常数。 |
申请公布号 |
CN104795396A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201410026977.0 |
申请日期 |
2014.01.21 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
洪文;廖修汉;蔡耀庭;陈彦名 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
赵根喜;李昕巍 |
主权项 |
一种快闪存储器,包括:衬底,所述衬底包括晶胞区;多个第一栅极结构,位于所述衬底的所述晶胞区上;多个源极区与多个漏极区,分别位于所述晶胞区的所述第一栅极结构之间的所述衬底上;多个自行对准接触窗,位于所述第一栅极结构之间,且位于所述源极区与所述漏极区上;第一介电层,围绕所述自行对准接触窗,且在对应所述第一栅极结构处具有多个凹陷;以及第二介电层,位于所述第一介电层中,且填满所述凹陷,所述第二介电层的介电常数低于所述第一介电层的介电常数。 |
地址 |
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 |