发明名称 氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺
摘要 本发明提供一种氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺,一方面将石墨加热体设计为梯形圆筒(下底角为86º±0.5),形成上端高、下端低的温场梯度分布(0-135℃/m),另一方面将钟罩内壁保温套设计为上端厚、下端薄,使得保温套同样形成(0-135℃/m)的温场梯度分布,该结构结合创新研发出的制备工艺,使得产品单晶率高达65%左右,产出的氟化镁单晶镀膜材料可避免氧化镁生成,达到无崩点技术要求,且本发明产出单晶氟化镁是下拉法单炉产量6-7倍,时间减少70%。
申请公布号 CN104790025A 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201510174361.2 申请日期 2015.04.14
申请人 营口市荣兴达科技实业有限公司 发明人 刘生利;吴为民;刘大畅;刘容畅
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人 郑贤明
主权项 氟化镁单晶镀膜材料的制备装置,其特征在于:包括坩埚(10)、石墨加热体(9)和冷却系统,其中坩埚(10)的上方罩有顶盖(11),坩埚(10)的底部中心处向上内陷,内陷处形成梯形圆筒状,在坩埚(10)的外侧罩有钟罩(1);所述石墨加热体(9)通过铜电极(8)与外部电源连接,且石墨加热体(9)的外形与梯形圆筒状一致;所述冷却系统包括进水口(6)和出水口(5)以及循环水路,所述循环水路位于钟罩(1)内部。
地址 115200 辽宁省营口市盖州市东城办事处新华村