发明名称 |
氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺 |
摘要 |
本发明提供一种氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺,一方面将石墨加热体设计为梯形圆筒(下底角为86º±0.5),形成上端高、下端低的温场梯度分布(0-135℃/m),另一方面将钟罩内壁保温套设计为上端厚、下端薄,使得保温套同样形成(0-135℃/m)的温场梯度分布,该结构结合创新研发出的制备工艺,使得产品单晶率高达65%左右,产出的氟化镁单晶镀膜材料可避免氧化镁生成,达到无崩点技术要求,且本发明产出单晶氟化镁是下拉法单炉产量6-7倍,时间减少70%。 |
申请公布号 |
CN104790025A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201510174361.2 |
申请日期 |
2015.04.14 |
申请人 |
营口市荣兴达科技实业有限公司 |
发明人 |
刘生利;吴为民;刘大畅;刘容畅 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 |
代理人 |
郑贤明 |
主权项 |
氟化镁单晶镀膜材料的制备装置,其特征在于:包括坩埚(10)、石墨加热体(9)和冷却系统,其中坩埚(10)的上方罩有顶盖(11),坩埚(10)的底部中心处向上内陷,内陷处形成梯形圆筒状,在坩埚(10)的外侧罩有钟罩(1);所述石墨加热体(9)通过铜电极(8)与外部电源连接,且石墨加热体(9)的外形与梯形圆筒状一致;所述冷却系统包括进水口(6)和出水口(5)以及循环水路,所述循环水路位于钟罩(1)内部。 |
地址 |
115200 辽宁省营口市盖州市东城办事处新华村 |