| 发明名称 | 单晶碳化硅基板的表面处理方法和单晶碳化硅基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。 | ||
| 申请公布号 | CN104797747A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201380059807.6 | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;谢弘 |
| 主权项 | 一种单晶SiC基板的表面处理方法，是藉由在Si蒸汽压力下进行加热处理对单晶SiC基板进行蚀刻的方法，其特征在于，包括:藉由调整上述单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力控制蚀刻速度的蚀刻工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||