一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置

摘要

本实用新型公开了一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置，该方法是将多晶硅片和金属靶材分别连接于高压脉冲电源的正极和负极并置于充入氩气的真空室内，两者之间的电场使氩气电离，形成的氩离子轰击金属靶材，产生溅射粒子沉积于多晶硅片表面，该多晶硅片表面在高压脉冲电源的间隔时间内，受到激光的扫描加热，加快溅射粒子的渗入，且溅射与激光加热按高压脉冲的频率循环往复进行，使多晶硅片表面形成金属薄膜。本实用新型在多晶硅表面制备的金属薄膜均匀性好，膜基结合力高，同时装置结构相对简单，易于安装、检修。

主权项

一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置，其特征在于：包括真空室（1）、金属靶材（31）、磁体（33）、激光器（41）、高压脉冲电源（5）、氩气瓶（6）、真空泵（8）、多晶硅（11）和用于装夹并带动多晶硅（11）运动的夹具（10），若干所述磁体（33）设置在真空室（1）内，金属靶材（31）置于在磁体（33）上，氩气瓶（6）和真空泵（8）分别与真空室（1）连通，高压脉冲电源（5）的正负极分别与多晶硅（11）和金属靶材（31）电连接，激光器（41）发射的激光束通过真空室侧壁上设置的对应孔洞，投射到至多晶硅（11）上。