发明名称 |
固体摄像器件、该固体摄像器件的制造方法和电子装置 |
摘要 |
本发明涉及固体摄像器件、该固体摄像器件的制造方法和电子装置。所述固体摄像器件包括:像素区域,在所述像素区域中排列有多个包括光电转换膜的像素,在所述多个像素之间设置有像素隔离部,其中,所述光电转换膜是由铜-铝-镓-铟-硫-硒类混合晶体或铜-铝-镓-铟-锌-硫-硒类混合晶体组成的黄铜矿结构化合物半导体,并在硅基板上布置成为与所述硅基板晶格匹配,所述像素隔离部是由受掺杂浓度控制或组分控制的化合物半导体形成,使得所述像素隔离部在根据所述多个像素所布置的所述光电转换膜之间成为势垒。根据本发明的固体摄像器件能够防止混色等的发生,能够抑制如所获得图像的图像质量劣化等问题的发生。 |
申请公布号 |
CN102194843B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201110057850.1 |
申请日期 |
2011.03.10 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
户田淳 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
武玉琴;陈桂香 |
主权项 |
一种固体摄像器件,其包括:像素区域,在所述像素区域中排列有多个包括光电转换膜的像素,在所述多个像素之间设置有像素隔离部,其中,所述光电转换膜是由铜‑铝‑镓‑铟‑硫‑硒类混合晶体或铜‑铝‑镓‑铟‑锌‑硫‑硒类混合晶体组成的黄铜矿结构化合物半导体,并在硅基板上布置成为与所述硅基板晶格匹配,所述像素隔离部是由受掺杂浓度控制或组分控制的化合物半导体形成,使得所述像素隔离部在根据所述多个像素所布置的所述光电转换膜之间成为势垒。 |
地址 |
日本东京 |