制作金属凸块与熔接金属的制程方法

摘要

一种提升金属凸块结构表面熔接金属的共面性的制程方法，适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。为达上述目的，本发明提出一种利用两道制程的方法，分别控制金属凸块面积与熔接金属面积，改善熔接金属共面性问题，其步骤包含：一第一道制程，用以制作金属凸块结构于半导体元件表面；以及一第二道制程，用以制作该金属凸块表面不同面积的熔接金属结构。

主权项

一种制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，其步骤包括：一第一道制程，用以制作多个金属凸块结构于一半导体元件表面；以及一第二道制程，用以制作该多个金属凸块表面不同面积的熔接金属结构；其中，所述第一道制程包含下列步骤：涂布或压合一第一光阻层于该半导体元件表面；以曝光显影方法定义金属凸块结构的位置及几何形状；以金属镀膜方法镀上金属凸块结构的金属材料；以金属镀膜方法镀上一熔接金属的浸润层；以及去除第一光阻层，以形成金属凸块结构；所述第二道制程包含下列步骤：涂布或压合一第二光阻层于半导体元件及金属凸块结构表面；确定该多个熔接金属结构于高温熔解后所达到的一个高度，根据该高度决定熔接金属结构在每一个金属凸块上的面积，并根据所确定的熔接金属结构的面积及金属凸块结构的位置与几何形状，以曝光显影方法定义熔接金属的位置及几何形状；以金属镀膜方法镀上一熔接金属层的金属材料；以及去除第二光阻层，形成熔接金属于金属凸块结构之上；其中，熔接金属层的金属材料是铟、锡、以锡为主要成份的合金或是以铟为主要成份的合金。