| 发明名称 | 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1）在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；2）利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；3）在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的部分种子层；4）将种子层热氧化为二氧化硅层以作为第二子隔离层，其中所述掩膜的熔点高于热氧化种子层的温度；5）去除掩膜，露出被所述掩膜覆盖的部分种子层，以作为种子区。 | ||
| 申请公布号 | CN103413776B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201310286462.X | 申请日期 | 2013.07.09 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈弘;贾海强;江洋;王文新;马紫光;王禄;李卫 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1)在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；2)利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；3)在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的部分种子层；4)将种子层的未被所述掩膜覆盖的部分热氧化为二氧化硅层以作为第二子隔离层，其中所述掩膜的熔点高于热氧化种子层的温度；5)去除掩膜，露出被所述掩膜覆盖的部分种子层，以作为种子区。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||