用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法

摘要

本发明涉及硅片体寿命测试技术领域，特别是一种用于测试体寿命的硅片及其制作方法和体寿命测试方法。该用于测试体寿命的硅片，具有多个测试区域，每个测试区域的硅片厚度都不同。该硅片的制作方法：在同一硅片的表面的不同测试区域镀不同厚度的掩膜，然后在腐蚀液中腐蚀掩膜和硅片，直至掩膜全部被腐蚀。利用该硅片测试硅片体寿命的方法：将该硅片作为用于测试体寿命的硅片，然后测试不同区域的有效少子寿命和该区域的硅片厚度，利用变厚法公式得到硅片的体寿命。本发明的有益效果是：在同一块硅片上进行测试，便避免不同硅片之间的差异，得到绝对的体寿命Tau_bulk，节约成本。

主权项

一种用于测试体寿命的硅片的制作方法，其特征是：在同一硅片的表面的不同测试区域镀不同厚度的掩膜，然后在腐蚀液中腐蚀掩膜和硅片，直至掩膜全部被腐蚀，在硅片表面形成厚度不同的测试区域，所述的掩膜为SiNx，在同一硅片的表面的不同测试区域镀不同厚度的SiNx掩膜，然后在KOH腐蚀液中腐蚀SiNx掩膜和硅片，直至SiNx掩膜掩膜全部被腐蚀，再对硅片进行清洗，然后镀SiNx钝化膜并在高温下烧结，镀不同厚度的SiNx掩膜的方法为：在待测试的硅片上分多次通过PECVD镀SiNx膜，在镀SiNx膜时，通过PECVD挡板遮挡的方法控制不同区域镀SiNx膜的次数，由此来控制不同区域SiNx掩膜的厚度。