发明名称 |
弹性波元件 |
摘要 |
本发明提供一种弹性波元件。IDT电极从压电体侧开始依次具有以Mo为主成分的第1电极层、和设置在第1电极层上且以Al为主成分的第2电极层,IDT电极具有0.15λ以下的总膜厚,并且第1电极层具有0.05λ以上的膜厚,第2电极层具有0.025λ以上的膜厚。 |
申请公布号 |
CN102948073B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201180029717.3 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
天工松下滤波方案日本有限公司 |
发明人 |
冈本庄司;后藤令;中西秀和;中村弘幸 |
分类号 |
H03H9/145(2006.01)I;H03H9/72(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/145(2006.01)I |
代理机构 |
北京市正见永申律师事务所 11497 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种弹性波元件,其具备:压电体;IDT电极,其被设置在所述压电体上,且激励波长为λ的主要弹性波;氧化硅膜,其设置在所述压电体上,覆盖所述IDT电极,并且具有0.2λ以上、小于1λ的膜厚;以及电介质膜,其被设置在所述氧化硅膜上,所述电介质膜由以比在所述氧化硅膜中传播的横波的速度更快的速度传播横波的介质构成,并且具有1λ以上且5λ以下的膜厚,所述IDT电极从所述压电体侧开始依次具有以Mo为主成分的第1电极层、和设置在所述第1电极层上且以Al为主成分的第2电极层,所述IDT电极具有0.15λ以下的总膜厚,所述第1电极层具有0.05λ以上的膜厚,并且所述第2电极层具有0.025λ以上的膜厚。 |
地址 |
日本大阪府 |