发明名称 ダイオード、半導体装置およびMOSFET
摘要
申请公布号 JP5753814(B2) 申请公布日期 2015.07.22
申请号 JP20120092992 申请日期 2012.04.16
申请人 发明人
分类号 H01L29/872;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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