发明名称 フォトレジストおよびその使用方法
摘要 New photoresists are provided that comprise preferably as distinct components: a resin, a photoactive component and a phenolic component Preferred photoresists of the invention are can be useful for ion implant lithography protocols.
申请公布号 JP5753681(B2) 申请公布日期 2015.07.22
申请号 JP20100279128 申请日期 2010.12.15
申请人 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 发明人 ゲルハルト・ポーラース
分类号 G03F7/039;G03F7/40;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
地址