| 发明名称 | 一种悬空石墨烯的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种悬空石墨烯的制备方法，包括以下步骤：步骤A：采用半导体工艺在碳化硅衬底上制备预期结构；步骤B：在富碳环境下，采用高温热分解法制备悬空石墨烯。该方法制备过程简单、没有化学污染，适合机械化和自动化制造，所得到的悬空石墨烯更易于使用。 | ||
| 申请公布号 | CN104787754A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201510122914.X | 申请日期 | 2015.03.19 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 周智;胡颖;单欣岩;陆兴华 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
| 主权项 | 一种悬空石墨烯的制备方法，包括以下步骤：步骤A：采用半导体工艺在碳化硅衬底上制备预期结构；步骤B：在富碳环境下，采用高温热分解法制备悬空石墨烯。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||