一种制备SnO外延薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备SnO外延薄膜的方法，包括：清洗靶材，将靶材和衬底固定在靶台和样品台上装入真空室，调整样品台与靶台间距，关闭真空室，抽真空到真空度达5×10^-4Pa以下；将衬底升温，设定衬底温度为400-600℃；开启氧气阀，使真空室内的氧压稳定在0.05-0.5Pa；开启激光器，设定激光脉冲能量和激光脉冲频率；启动靶台和样品台自转，开启激光器高压，激光预溅射靶材3分钟，旋开样品台挡板开始沉积薄膜，沉积完成后关闭激光器，关闭氧压阀，让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。本发明的有益效果：制备工艺简单，所需设备要求低，并且所用金属Sn靶极大降低了生长SnO外延薄膜的生产成本。

主权项

一种制备SnO外延薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1，清洗靶材，将所述靶材和衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，调整所述样品台与所述靶台的间距，关闭所述真空室，抽真空到真空度达5×10^‑4Pa以下；步骤2，开启衬底加热器将所述衬底升温，调节生长温度为400‑600℃；步骤3，通入氧气，调整氧压为0.05‑0.5Pa；步骤4，开启激光器，设定激光器的激光脉冲频率为5Hz，设定激光脉冲能量为250‑400mJ/pulse；步骤5，启动所述靶台和所述样品台的自转，开启所述激光器，激光预溅射所述靶材3分钟，然后旋开所述样品台的挡板，开始沉积薄膜，沉积完成后关闭所述激光器，关闭所述氧压阀，让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。