发明名称 |
肖特基势垒二极管及其制造方法 |
摘要 |
肖特基势垒二极管包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的:第一电极(72);III族氮化物膜(20);绝缘膜(30),其具有开口;肖特基接触金属膜(40);接合金属膜(60);导电支撑衬底(50);和第二电极(75)。肖特基接触金属膜(40)的一部分可在绝缘膜(30)的一部分上延伸。肖特基势垒二极管还可包括设置在肖特基接触金属膜(40)的凹进部分和接合金属膜(60)之间的嵌入金属膜。因此,能够提供具有高击穿电压并且允许大电流从中流过的低成本肖特基势垒二极管及其制造方法。 |
申请公布号 |
CN104798182A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201380060425.5 |
申请日期 |
2013.11.13 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
石原邦亮 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种肖特基势垒二极管,包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的:第一电极、III族氮化物膜、具有开口的绝缘膜、肖特基接触金属膜、接合金属膜、导电支撑衬底、以及第二电极。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |