| 发明名称 | 用于形成量子阱结构的远距离δ掺杂层的机制 | ||
| 摘要 | 一种制造量子阱器件的方法包括在量子阱的δ层的侧面上形成扩散阻挡层以将掺杂剂限制到量子阱。 | ||
| 申请公布号 | CN101657903B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN200880010277.5 | 申请日期 | 2008.03.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·金;A·马宗达;J·卡瓦利罗斯;S·达塔;R·乔 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民;谢喜堂 |
| 主权项 | 一种制造量子阱器件的方法，包括在量子阱层的δ掺杂层的第一侧面上形成第一掺杂剂扩散阻挡层，以及在所述δ掺杂层的第二侧面上形成第二掺杂剂扩散阻挡层，以将掺杂剂限制到所述δ掺杂层内，其中形成所述第一和第二掺杂剂扩散阻挡层的至少一个包括在宽带隙层中添加杂质以帮助抑制掺杂剂扩散。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||