发明名称 |
平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法 |
摘要 |
平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法,该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元,在迁移区内平行放置上基片和下基片,在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极,上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连,其特征在于:在迁移区前端设置至少一个聚焦区,在每个聚焦区的上基片和下基片上设置至少一副聚焦极板对。采用上述聚焦装置的聚焦方法,其特征在于:在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压;射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。 |
申请公布号 |
CN102723254B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201210211272.7 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
唐飞;徐初隆;王晓浩 |
分类号 |
H01J49/06(2006.01)I;H01J49/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
邸更岩 |
主权项 |
一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪聚焦方法,所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(2)、迁移区(3)和检测单元(8);在迁移区(3)内平行放置上基片(4)和下基片(5),在上基片(4)和下基片(5)上分别设置上迁移区电极(6)和下迁移区电极(7),上迁移区电极(6)分别与非对称波形射频电源(10)和直流扫描补偿电源(9)相连;其特征在于,所述方法采用以下聚焦装置:在迁移区(3)前端设置至少一个聚焦区(11),在每个聚焦区(11)的上基片(4)和下基片(5)上设置至少一副聚焦极板对,并上下正对;在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:a.直流聚焦模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压,与施加直流电压的聚焦极板对相邻的聚焦极板对不施加电压;施加的直流电压根据离子极性选择极性,若为正离子施加正电压,若为负离子施加负电压;b.射频聚焦模式:射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦波射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。 |
地址 |
100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |