发明名称 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法
摘要 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法,该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元,在迁移区内平行放置上基片和下基片,在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极,上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连,其特征在于:在迁移区前端设置至少一个聚焦区,在每个聚焦区的上基片和下基片上设置至少一副聚焦极板对。采用上述聚焦装置的聚焦方法,其特征在于:在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压;射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。
申请公布号 CN102723254B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201210211272.7 申请日期 2012.06.20
申请人 清华大学 发明人 唐飞;徐初隆;王晓浩
分类号 H01J49/06(2006.01)I;H01J49/40(2006.01)I 主分类号 H01J49/06(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 邸更岩
主权项 一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪聚焦方法,所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(2)、迁移区(3)和检测单元(8);在迁移区(3)内平行放置上基片(4)和下基片(5),在上基片(4)和下基片(5)上分别设置上迁移区电极(6)和下迁移区电极(7),上迁移区电极(6)分别与非对称波形射频电源(10)和直流扫描补偿电源(9)相连;其特征在于,所述方法采用以下聚焦装置:在迁移区(3)前端设置至少一个聚焦区(11),在每个聚焦区(11)的上基片(4)和下基片(5)上设置至少一副聚焦极板对,并上下正对;在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:a.直流聚焦模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压,与施加直流电压的聚焦极板对相邻的聚焦极板对不施加电压;施加的直流电压根据离子极性选择极性,若为正离子施加正电压,若为负离子施加负电压;b.射频聚焦模式:射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦波射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。
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