发明名称 一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法
摘要 本发明提供一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法,该玻璃陶瓷的化学成分组成为:xPbO-ySrO-zNb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-wNa<sub>2</sub>O-vSiO<sub>2</sub>-tR,其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例,分别为:4≤x≤8,8.4≤y≤15,27≤z≤36,13.5≤w≤18,28≤v≤46,0.5≤t≤5,R为La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pr<sub>6</sub>O<sub>11</sub>和Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一种。其制备方法是将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料,在1300℃~1450℃的高温下保温2~3小时形成熔融的玻璃液,然后将玻璃液制成玻璃片,玻璃片经过可控结晶热处理,得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗,适合用作交流高压电容器介质。
申请公布号 CN103159405B 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201110415415.1 申请日期 2011.12.13
申请人 北京有色金属研究总院 发明人 杜军;张庆猛;罗君;唐群;韩东方;周毅
分类号 C03C10/14(2006.01)I 主分类号 C03C10/14(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 程凤儒
主权项 一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷,其特征在于,该玻璃陶瓷的化学成分组成为:xPbO‑ySrO‑zNb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>‑wNa<sub>2</sub>O‑vSiO<sub>2</sub>‑tR,其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例,分别为:4≤x≤8,8.4≤y≤15,27≤z≤36,13.5≤w≤18,28≤v≤46,0.5≤t≤5,R为La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pr<sub>6</sub>O<sub>11</sub>和Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一种。
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