一种改善多晶硅表面缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体领域，具体公开了一种改善多晶硅表面缺陷的方法，具体即：利用含硫钝化液或SCl₂气体对多晶硅进行表面钝化处理，所述含硫钝化液为硫化铵溶液或硫化钠溶液。本发明通过含硫钝化液或SCl₂气体对多晶硅进行表面钝化处理，能够有效的出去再多晶硅形成工艺过程中多晶硅表面形成的表面缺陷，以及悬浮化学键，能小幅度的提高多晶硅的表面迁移率，并能在提高多晶硅高迁移率的使用寿命。相对传统的注氢和去氢的工艺在操作上更为简便，而且只需要一步工艺过程即可完成。

主权项

一种改善多晶硅表面缺陷的方法，其特征在于：利用含硫钝化液或SCl₂气体对多晶硅进行表面钝化处理。