| 发明名称 | 半导体结构与其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一半导体结构，包含有一基底，上方具有一介电层，且定义有一第一元件区以及一第二元件区，至少一第一凹槽位于该第一元件区内的该介电层中，至少一第二凹槽以及至少一第三凹槽位于该第二元件区内的该介电层中，一功函数层，位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该功函数金属层覆盖部分该第二凹槽的侧壁，而完整覆盖该第三凹槽的侧壁与一底部，以及多个第一材料层，分别位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该第一材料层覆盖部分该第二凹槽侧壁上的该功函数层，而完整覆盖位于该第三凹槽侧壁与该底部的该功函数层。 | ||
| 申请公布号 | CN104795394A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201410028783.4 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 曹博昭;黄耀宏;林建廷;魏铭德 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含有：基底，上方具有一介电层，且定义有第一元件区以及第二元件区；至少一第一凹槽位于该第一元件区内的该介电层中，至少一第二凹槽以及至少一第三凹槽位于该第二元件区内的该介电层中；第一功函数层，位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该第一功函数金属层覆盖部分该第二凹槽的侧壁，而完整覆盖该第三凹槽的侧壁与一底部；以及多个第一材料层，分别位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该第一材料层覆盖部分该第二凹槽侧壁上的该第一功函数层，而完整覆盖位于该第三凹槽侧壁与该底部的该第一功函数层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||