发明名称 |
沟渠式金氧半导体结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种沟渠式金氧半导体结构,包含基材、外延层、沟渠、栅极绝缘结构、沟渠式栅极、保护环、以及位于此保护环中的强化结构。基材具有第一导电型、第一面、以及相对第一面的第二面。外延层具有第一导电型并位于第一面上。沟渠位于外延层中。栅极绝缘结构覆盖沟渠的内表面。沟渠式栅极位于沟渠中并具有第一导电型。保护环具有第二导电型并位于外延层中。强化结构具有电性绝缘材料并位于此保护环之中。 |
申请公布号 |
CN102820321B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201210048057.X |
申请日期 |
2012.02.28 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
郭锦德;陈逸男;刘献文 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种沟渠式金氧半导体结构,其特征在于,包括:具有一第一导电型的一基材,并具有一第一面以及相对所述第一面的一第二面;一外延层,具有所述第一导电型并位于所述第一面上;一沟渠,位于所述外延层中;一栅极绝缘结构,覆盖所述沟渠的一内表面;一沟渠式栅极,位于所述沟渠中、具有所述第一导电型以及一第一深度;具有所述第一导电型的一源极,位于所述外延层中并邻近所述沟渠式栅极;具有一第二导电型的一保护环,位于所述外延层中并邻近所述源极;具有一第二深度的一强化结构,具有一电绝缘材料并位于所述保护环之中;以及位于所述第二面的一漏极。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |