发明名称 |
制造延性增强的镁合金片材 |
摘要 |
描述了增强含有85重量%或更多镁的镁合金片材的延性的方法。具有大致均一晶粒粒度的退火的基本无应变的片材在局部区域中局部变形以形成嵌在基本无应变的基质中的具有预定应变的应变“岛”,然后退火。变形区域发生重结晶和晶粒生长,而片材的其余部分仅发生晶粒粒度的轻微变化,以产生带有具有双峰粒度分布的晶粒的片材。由此加工的合金的延性明显大于未加工的均一晶粒粒度合金的延性,而不损害该合金的拉伸强度。 |
申请公布号 |
CN103103463B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201210449734.9 |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
发明人 |
S.K.米什拉;S.蒂瓦里;A.特瓦里;J.T.卡特;D.萨奇德瓦 |
分类号 |
C22F1/06(2006.01)I |
主分类号 |
C22F1/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
韦欣华;万雪松 |
主权项 |
通过在片材中形成包含主要两种不同尺寸范围的晶粒的微结构来改进镁基合金片材的室温拉伸伸长的方法,所述镁基合金片材具有包含基本均一尺寸的无应变晶粒的初始微结构,所述方法包括:在不高于160℃的温度下使片材变形,以使应变至预定应变并嵌在基本未变形的片材部分中的片材的密间隔部分基本均匀分布;和以350℃至500℃的温度和15至30分钟的时间将片材退火以形成微结构,所述温度和时间适于在所述应变的密间隔的嵌入部分中产生比基本未变形的片材部分中的晶粒更大的晶粒,在该微结构中晶粒粒度包含主要双峰分布,其中大部分晶粒的尺寸落在两个尺寸范围之一内。 |
地址 |
美国密执安州 |