| 发明名称 | 一种快速制备高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料的新方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种快速制备高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料的新方法，它包括如下步骤：1）按Mg<sub>2(1+0.08)</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub> (0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub>带状产物；3）将Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1-y</sub>Sb<sub>y</sub>带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料。本发明具有节省能源、制备时间极短和工艺参数简单等特点，所得块体的热电优值<i>ZT</i>可达1.3。 | ||
| 申请公布号 | CN103320636B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201310252012.9 | 申请日期 | 2013.06.24 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 唐新峰;张强;郑云;柳伟;尹康 |
| 分类号 | C22C1/05(2006.01)I;H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 主分类号 | C22C1/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 一种快速制备高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1）以Mg粉、Si粉、Sn粉和Sb粉为原料，按Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1‑y</sub>Sb<sub>y</sub>热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体，其中0≤y≤0.025；2）将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1‑y</sub>Sb<sub>y</sub>带状产物；3）将上一步所得的Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1‑y</sub>Sb<sub>y</sub>带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg<sub>2</sub>(Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>)<sub>1‑y</sub>Sb<sub>y</sub>热电材料；所述的步骤2）中，熔体旋甩急冷设备腔体内为氩气气氛，相对压力为‑0.05MPa，熔体旋甩的工艺参数为：铜辊转速为30m/s，氩气喷射相对压力为0.04MPa，感应电压为150V，熔融甩带时间为1‑2min；所得高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料成分分布均匀，热电性能优值<i>ZT</i>在800K达到1.3。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||