| 发明名称 | 发光二极管芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片被构造为发射第一波长范围的光和第二波长范围的光，所述发光二极管芯片包括：基板；发光结构，设置在基板的第一表面上，发光结构包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层并被构造为发射第一波长范围的光；以及第一分布布拉格反射器和第二分布布拉格反射器，设置在基板的第二表面上，其中，第一分布布拉格反射器设置为比第二分布布拉格反射器更靠近基板；第一波长范围包括蓝光波长范围；第一分布布拉格反射器对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率；第二分布布拉格反射器对第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN104795483A | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201510188471.4 | 申请日期 | 2010.11.15 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 李贞勋;李剡劤;陈相奇;慎镇哲;金钟奎;李小拉 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王占杰;刘灿强 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，所述发光二极管被构造为发射第一波长范围的光和第二波长范围的光，所述发光二极管芯片包括：基板；发光结构，设置在基板的第一表面上，发光结构包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层并被构造为发射第一波长范围的光；以及第一分布布拉格反射器和第二分布布拉格反射器，设置在基板的第二表面上，其中：第一分布布拉格反射器设置为比第二分布布拉格反射器更靠近基板；第一波长范围包括蓝光波长范围；第一分布布拉格反射器对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率；以及第二分布布拉格反射器对第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||