| 发明名称 | 具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。 | ||
| 申请公布号 | CN103094138B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201210433490.5 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·V·源 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 鲍进 |
| 主权项 | 一种形成三维(3D)集成电路的方法，所述方法包括：提供包括Cu表面的第一器件晶片；至少在第一器件晶片的Cu表面上形成金属粘附层；在金属粘附层上且在第一器件晶片的Cu表面顶上放置包括另一Cu表面的第二器件晶片；和在低于400℃的温度下将第一器件晶片和第二器件晶片接合在一起，其中，所述金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在第一器件晶片的Cu表面与第二器件晶片的另一Cu表面之间形成金属氧化物接合层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||