发明名称 |
一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂 |
摘要 |
本发明提出一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂。该抛光剂包括下列组分,氧化剂亚溴酸盐1 wt.%~5 wt.%;碱土金属氢氧化物0.3 wt.% ~1wt.%,PH值在9.5~10.5之间; SiO<sub>2 </sub>15 g/L~25g/L,粒径在30~80nm之间;非离子表面活性剂甲基环硅氧烷0.05~0.1g/L,余量为水。本发明抛光剂化学性质稳定、环保、安全;同时可获得无缺陷晶片表面,有效提高抛光效率。 |
申请公布号 |
CN104073169B |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201410254178.9 |
申请日期 |
2014.06.10 |
申请人 |
大庆佳昌晶能信息材料有限公司 |
发明人 |
徐兰兰;张学锋 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 |
代理人 |
孙淑荣 |
主权项 |
一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂,包括下列组分,氧化剂亚溴酸盐1wt.%~5wt.%;氢氧化钠0.3wt.%~1wt.%,pH值在9.5~10.5之间;SiO<sub>2</sub>15g/L~25g/L,粒径在30~80nm之间;非离子表面活性剂甲基环硅氧烷0.05~0.1g/L,余量为水。 |
地址 |
163000 黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室 |