发明名称 半导体发光元件及半导体发光装置
摘要
申请公布号 TWI493748 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW098128698 申请日期 2009.08.26
申请人 日亚化学工业股份有限公司 发明人 家段胜好;井上芳树
分类号 H01L33/00;H01L33/38 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体发光元件,其特征在于包含:第1半导体层;发光层,其设置于上述第1半导体层上;第1焊垫电极,其与上述发光层隔开而设置于上述第1半导体层上;第2半导体层,其设置于上述发光层上;绝缘体层,其设置于上述第2半导体层上之一部分区域,且具有贯通其厚度方向之孔部;透光性电极层,其自上述第2半导体层之其他区域连续设置至上述绝缘体层之上面之一部分为止;以及第2焊垫电极,其设置成通过上述绝缘体层之上述孔部而与上述第2半导体层接触,并在夹着上述透光性电极层而与上述绝缘体层相对向之位置上与上述透光性电极层接触;且上述第2焊垫电极与上述第2半导体层之接触电阻大于上述透光性电极层与上述第2半导体层之接触电阻。
地址 日本