| 主权项 |
一种固态发光结构的制造方法，包含：(A)于一第一基板上形成一令氮化镓系材料无法磊晶成长的牺牲层；(B)移除该牺牲层的部分层体使得该第一基板的一预定区域裸露而得到一图案化的牺牲层结构；(C)以朝向三维方向成长的磊晶生长方式自该第一基板的预定区域磊晶成长一由氮化镓系材料构成的第一半导体结构；(D)于磊晶成长过程中控制氮化镓系材料沿该第一半导体结构表面的侧向磊晶成长速度大于磊晶成长增厚速度，而自该第一半导体结构向上磊晶形成一由氮化镓系材料构成的第二半导体层；(E)由该氮化镓系的第二半导体层的表面向上成长一由氮化镓系材料构成并在供电时发光的发光晶体层；(F)在该发光晶体层相反于该第一基板的表面接合上一第二基板；(G)移除该图案化的牺牲层结构而令该第一基板仅以该预定区域与该第一半导体结构相接触而连接于该第一半导体结构上；(H)移除该第一基板使该第一基板与该第一半导体结构相分离；及(I)蚀刻移除该第二半导体层，使该发光晶体层的表面裸露，而制得该具有第二基板与位于该第二基板上的
发光晶体层的固态发光结构。
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