| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一第一基底，具有一第一侧及一第二侧；一第一晶片，装设于该第一基底的该第一侧上；一成形材料，形成于该第一基底的该第一侧的至少一部分上；一应力补偿层，形成于该第一基底的该第二侧上，
其中该应力补偿层的厚度为，其中
CTEMolding为该成形材料的热膨胀系数，EMolding为该成形材料的杨氏系数，THKMolding为该成形材料的厚度，CTECompensation为该应力补偿层的热膨胀系数，ECompensation为该应力补偿层的杨氏系数；以及一第二基底，电性耦接至该第一基底，且位于该第一侧上。 |
