| 主权项 |
一种堆叠结合发光二极体，包含：一第一磊晶堆叠发光二极体；一第二磊晶堆叠发光二极体；及一第一结合层，藉以让该第一磊晶堆叠发光二极体与该第二磊晶堆叠发光二极体堆叠结合，其中该第一磊晶堆叠发光二极体及该第二磊晶堆叠发光二极体皆包含至少一穿隧接面，该第一磊晶堆叠发光二极体包含复数堆叠的氮化铟镓(InGaN)发光二极体，相邻的该些氮化铟镓(InGaN)发光二极体藉由该穿隧接面而相互堆叠，该第二磊晶堆叠发光二极体包含复数堆叠的磷化铝铟镓(AlInGaP)发光二极体，相邻的该些磷化铝铟镓(AlInGaP)发光二极体藉由该穿隧接面而相互堆叠。 |
