记忆元件及半导体装置

主权项

一种记忆元件，包括：基底；在所述基底上的第一导电层；以及金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中，所述金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，其中，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触，以及其中，该半导体层之厚度为0.1nm以上及10nm以下。