| 发明名称 |
具有后钝化互连结构之半导体元件及形成具有后钝化互连结构之半导体元件之方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI493667 |
申请公布日期 |
2015.07.21 |
| 申请号 |
TW102136061 |
申请日期 |
2013.10.04 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈宪伟;于宗源;蔡豪益;李明机;余振华 |
| 分类号 |
H01L23/48;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/48 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种半导体元件，包含：一接触垫及一虚设垫，上覆于一半导体基板；一保护层，上覆于该接触垫及该虚设垫；一互连结构，上覆于该保护层且包含设置在该虚设垫上方之一安装垫部分，其中该安装垫部分包含一接触穿孔，该接触穿孔通过该保护层且接触部分的该虚设垫；及一凸块，上覆于该互连结构之该安装垫部分。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
