元件与其形成方法,申请号TW102110601-传众专利搜索

发明名称	元件与其形成方法
摘要
申请公布号	TWI493717	申请公布日期	2015.07.21
申请号	TW102110601	申请日期	2013.03.26
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	发明人	高敏峰;陈思莹;杨敦年;刘人诚;许慈轩;洪丰基
分类号	H01L29/78;H01L21/28	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人	洪澄文台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项	一种元件，包括：一半导体基板，具有一主动区；一元件隔离区围绕该主动区，并由该半导体基板之上表面延伸至该半导体基板中；一闸极介电层位于该主动区上并延伸至该元件隔离区上；以及一闸极位于该闸极介电层上，其中该闸极具有一刻痕于该元件隔离区之一部份上，其中该刻痕之边缘大体上对准该元件隔离区之边缘，且该元件隔离区之边缘接触该半导体基板之该主动区。
地址	新竹市新竹科学工业园区力行六路8号