| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征在于包括以下之步骤：(a)准备具有平面形状由四角形构成之上面、沿着上述上面之第1基板边而形成之复数个第1焊接引线、沿着与上述第1基板边对向之第2基板边而形成之复数个第2焊接引线、及与上述上面为相反侧之下面之基材的步骤；(b)于上述(a)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第1表面、沿着上述第1表面之第1晶片主边而形成之复数个第1焊接垫、及与上述第1表面为相反侧之第1背面的第1半导体晶片以于俯视时，上述第1晶片主边与上述第1基板边之间隔小于上述第1晶片主边与上述第2基板边之间隔的方式，经由第1接着层而配置于上述基材之上述上面上的步骤；(c)于上述(b)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第2表面、沿着上述第2表面之第2晶片主边而形成之复数个第2焊接垫、及与上述第2表面为相反侧之第2背面的第2半导体晶片以于俯视时，上述第2晶片主边与上述第1基板边之间隔小于上述第2晶片主边与上述第2基板边之间隔，且上述复数个第1焊接垫自上述第2半导体晶片露出的方式，且与上述第2晶片主边对向之第2晶片对向边自与上述第1半导体晶片之上述第1晶片主边对向之第1晶片对向边凸出的方式，经由第2接着层而配置于上述第1半导体晶片上的步骤；
(d)于上述(c)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第3表面、沿着上述第3表面之第3晶片主边而形成之复数个第3焊接垫、及与上述第3表面为相反侧之第3背面的第3半导体晶片以于俯视时，上述第3晶片主边与上述第1基板边之间隔小于上述第3晶片主边与上述第2基板边之间隔，且上述复数个第2焊接垫自上述第3半导体晶片露出的方式，且与上述第3晶片主边对向之第3晶片对向边自上述第2半导体晶片之上述第2晶片对向边凸出的方式，经由第3接着层而配置于上述第2半导体晶片上的步骤；(e)于上述(d)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第4表面、沿着上述第4表面之第4晶片主边而形成之复数个第4焊接垫、及与上述第4表面为相反侧之第4背面的第4半导体晶片以于俯视时，上述第4晶片主边与上述第1基板边之间隔小于上述第4晶片主边与上述第2基板边之间隔，且上述复数个第3焊接垫自上述第4半导体晶片露出的方式，且与上述第4晶片主边对向之第4晶片对向边自上述第3半导体晶片之上述第3晶片对向边凸出的方式，经由第4接着层而配置于上述第3半导体晶片上的步骤；(f)于上述(e)步骤之后，将复数个第1导线分别电性连接于上述复数个第1焊接垫之步骤；(g)于上述(f)步骤之后，将复数个第2导线分别电性连接于上述复数个第2焊接垫之步骤；
(h)于上述(g)步骤之后，将复数个第3导线分别电性连接于上述复数个第3焊接垫之步骤；(i)于上述(h)步骤之后，将复数个第4导线分别电性连接于上述复数个第4焊接垫之步骤；(j)于上述(i)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第5表面、沿着上述第5表面之第5晶片主边而形成之复数个第5焊接垫、及与上述第5表面为相反侧之第5背面的第5半导体晶片以于俯视时，上述第5晶片主边与上述第2基板边之间隔小于上述第5晶片主边与上述第1基板边之间隔，且上述复数个第4焊接垫自上述第5半导体晶片露出的方式，且上述第5晶片主边自上述第4半导体晶片之上述第4晶片对向边凸出的方式，经由第5接着层而配置于上述第4半导体晶片上的步骤；(k)于上述(j)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第6表面、沿着上述第6表面之第6晶片主边而形成之复数个第6焊接垫、及与上述第6表面为相反侧之第6背面的第6半导体晶片以于俯视时，上述第6晶片主边与上述第2基板边之间隔小于上述第6晶片主边与上述第1基板边之间隔，且于俯视时，上述第4半导体晶片之上述第4表面由上述第6半导体晶片覆盖，且上述复数个第5焊接垫自上述第6半导体晶片露出的方式，且与上述第6晶片主边对向之第6晶片对向边自与上述第5半导体晶片之上述第5晶片主边对向之第5晶片对向边凸出的方式，经由第6接着层而配置于上述第5半导体晶片上的步骤；
(l)于上述(k)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第7表面、沿着上述第7表面之第7晶片主边而形成之复数个第7焊接垫、及与上述第7表面为相反侧之第7背面的第7半导体晶片以于俯视时，上述第7晶片主边与上述第2基板边之间隔小于上述第7晶片主边与上述第1基板边之间隔，且于俯视时，上述第3半导体晶片之上述第3表面由上述第7半导体晶片覆盖，且上述复数个第6焊接垫自上述第7半导体晶片露出的方式，且与上述第7晶片主边对向之第7晶片对向边自上述第6半导体晶片之上述第6晶片对向边凸出的方式，经由第7接着层而配置于上述第6半导体晶片上的步骤；(m)于上述(l)步骤之后，将具有平面形状由四角形构成之第8表面、沿着上述第8表面之第8晶片主边而形成之复数个第8焊接垫、及与上述第8表面为相反侧之第8背面的第8半导体晶片以于俯视时，上述第8晶片主边与上述第2基板边之间隔小于上述第8晶片主边与上述第1基板边之间隔，且于俯视时，上述第2半导体晶片之上述第2表面由上述第8半导体晶片覆盖，且上述复数个第7焊接垫自上述第8半导体晶片露出的方式，且与上述第8晶片主边对向之第8晶片对向边自上述第7半导体晶片之上述第7晶片对向边凸出的方式，经由第8接着层而配置于上述第7半导体晶片上的步骤；(n)于上述(m)步骤之后，将复数个第5导线分别电性连接于上述复数个第5焊接垫之步骤；
(o)于上述(n)步骤之后，将复数个第6导线分别电性连接于上述复数个第6焊接垫之步骤；(p)于上述(o)步骤之后，将复数个第7导线分别电性连接于上述复数个第7焊接垫之步骤；(q)于上述(p)步骤之后，将复数个第8导线分别电性连接于上述复数个第8焊接垫之步骤；(r)于上述(q)步骤之后，将上述第1至第8半导体晶片及上述复数个第1至第8导线以树脂密封之步骤；此处，于上述基材之上述上面，进而形成有复数个配线及覆盖上述复数个配线之阻焊剂膜；上述第8半导体晶片系配置于上述基材之上述上面上之复数个半导体晶片中的最上段之半导体晶片；上述第1、5及8半导体晶片各自之厚度较上述第2、第3、第4、第6及第7半导体晶片各自之厚度更厚；上述第1、5及8半导体晶片各自之厚度系彼此相同之厚度。
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