| 发明名称 |
用于三元氧化物闸极电介质之沈积的方法以及藉此所形成的结构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI493601 |
申请公布日期 |
2015.07.21 |
| 申请号 |
TW097136897 |
申请日期 |
2008.09.25 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
布拉泽 马克;梅兹 马修;马克史温尼 麦克;坎恩 马克斯;哈顿朵夫 麦可 |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种用于三元氧化物闸极电介质之沈积的方法，包含：引进第一金属来源、第二金属来源及氧来源至容室中；以及形成包含第一百分比之该第一金属、第二百分比之该第二金属及第三百分比之氧的三元氧化物薄膜，其中该第一金属来源及第二金属来源之一者的该些脉冲与该第一金属来源及第二金属来源之另一者的该些脉冲的比率在整个该三元氧化物薄膜之形成中变化。
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| 地址 |
美国 |
