| 主权项 |
一种用于沈积薄膜之装置，包括：反应器；以及多个基板，配备于所述反应器内之相同空间上，其中藉由当旋转所述多个基板时在时间间隔上将所述多个基板暴露于两个或多个源气体及同时供应的蚀刻气体，来重复所述薄膜之沈积以及对所述已沈积的薄膜之部分蚀刻，以在所述多个基板上形成所述薄膜；基板支承板，配备有多个基板装载部，在所述多个基板装载部上装载所述多个基板，并且将所述多个基板装载部可旋转地安装至所述反应器内；以及气体注入组件，配备于所述反应器中的所述基板支承板上以将气体注入至所述基板支承板上，并且包括径向设置之多个气体注入单元，其中所述多个气体注入单元包括：至少一个第一源气体注入单元，配置为将第一源气体注入至所述基板支承板上；至少一个第二源气体注入单元，配置为将与所述第一源气体不同之第二源气体注入至所述基板支承板上；至少一个蚀刻气体注入单元，配置为将蚀刻气体注入至所述基板支承板上，其中所述蚀刻气体用于蚀刻藉由所述第一源气体和所述第二源气体所沈积之薄膜；以及至少一个冲洗气体注入单元，配置为将用于冲洗所述第一源气体、所述第二源气体及所述蚀刻气体之冲洗气体注入至所述基板支承板上；其中所述气体注入组件的所述第一源气体注入单元中
的一者或至少两者相邻设置并且分组形成第一源气体注入块，所述气体注入组件的所述第二源气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成第二源气体注入块，所述气体注入组件的所述蚀刻气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成蚀刻气体注入块，所述冲洗气体注入单元中的一者或两者相邻设置并且分组形成冲洗气体注入块。
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