发明名称 发光装置
摘要
申请公布号 TWI493720 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW097124726 申请日期 2008.07.01
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;铃木幸惠;桑原秀明
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种显示装置,包括:闸极电极;在该闸极电极上的闸极绝缘膜;在该闸极绝缘膜上的微晶半导体膜;在该微晶半导体膜上的缓冲层,该缓冲层具有凹部;在该缓冲层上的源极区域及汲极区域;在该源极区域上的源极电极;以及在该汲极区域上的汲极电极,其中:该缓冲层包括非晶半导体膜;该源极区域的一部分与该源极电极接触,且该源极区域的另一部分不与该源极电极接触;该汲极区域的一部分与该汲极电极接触,且该汲极区域的另一部分不与该汲极电极接触;该缓冲层系延伸超过该源极区域的外侧边缘及该汲极区域的外侧边缘;并且该闸极电极重叠的该源极区域的端部及该汲极区域的端部和该缓冲层的该凹部的侧面相对齐。
地址 日本