| 主权项 |
一种在半导体基板上制备高压元件和低压元件之方法，包括：制备第一导电类型的半导体基板；在高压元件的区域中的基板顶部，制备一与第一导电类型相反的第二导电类型的深掩埋植入区；在基板顶面上，生长一第一导电类型的第一外延层；在低压元件的区域中的第一外延层顶部，制备一第二导电类型的掩埋植入区；在第一外延层的顶面上，生长一第二导电类型的第二外延层；以及在低压元件区和高压元件区中第二外延层的顶面上，制备复数个掺杂区，分别形成低压元件和高压元件；其中第一外延层的掺杂浓度与基板大致相同；其中制备第二导电类型的深掩埋植入区的步骤，更包括植入第二导电类型的第一离子以及第二导电类型的第二离子，第一离子的扩散速度大于第二离子的扩散速度；其中制备第二导电类型的深掩埋植入区的步骤，是由一或复数个热扩散制程组成，扩散第一离子，以便从基板的深度延伸到第一外延层的顶面，构成一深掩埋轻掺杂区；其中一或复数个热扩散制程进一步激发了位于基板和第一外延层之间的交界面附近的第二离子，构成被深掩埋轻掺杂区包围着的深掩埋重掺杂区；其中深掩埋轻掺杂区的掺杂浓度与第二外延层大致相同。 |
