| 发明名称 |
半导体结构及制造奈米线半导体结构之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI493716 |
申请公布日期 |
2015.07.21 |
| 申请号 |
TW101148054 |
申请日期 |
2012.12.18 |
| 申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
卡佩拉尼 安娜丽莎;库恩 科林Ｊ;瑞欧斯 拉斐尔;毕玛拉瑟堤 果平纳斯;迦尼 泰希尔;金世渊 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
种半导体结构，其包含：包含多个奈米线之一第一半导体装置，该等奈米线系设置在一基材上方并且与一第一最上面奈米线于一第一垂直平面中堆叠；以及包含一或更多个奈米线之一第二半导体装置，该一或多个奈米线系设置在该基材上方并且与一第二最上面奈米线于一第二垂直平面中堆叠，该第二半导体装置包含比该第一半导体装置少一或更多个的奈米线，以及该等第一和第二最上面奈米线设置于与该等第一和第二垂直平面正交(orthogonal)之一相同平面中。 |
| 地址 |
美国 |
