发明名称 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS HAVING THROUGH-SUBSTRATE INTERCONNECTS, AND METHODS OF FORMING THROUGH-SUBSTRATE INTERCONNECTS
摘要 <p>일부 실시예들은 인터커넥트들을 반도체 기판들을 통해 형성하는 방법들을 포함한다. 개구부는 반도체 기판을 통해 도중까지 연장되도록 형성될 수 있고, 인터커넥트의 부분은 개구부 내에 형성될 수 있다. 다른 개구부는 기판의 제 2 측면으로부터 상기 인터커넥트의 제 1 부분으로 연장되도록 형성될 수 있고, 인터커넥트의 다른 부분은 그러한 개구부 내에 형성될 수 있다. 일부 실시예들은 부분적으로 반도체 기판을 통해 기판의 제 1 측면으로부터 연장되는 관통 기판 인터커넥트의 제 1 부분; 및 기판의 제 2 측면으로부터 연장되고 인터커넥트의 제 1 부분으로 모두 연장되는 다수의 개별 도전성 핑거들을 갖는 제 2 부분을 갖는 반도체 구조물들을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101538262(B1) 申请公布日期 2015.07.20
申请号 KR20137034540 申请日期 2012.05.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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