| 摘要 |
<p>탄화규소 단결정 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 도가니, 종자정, 종자정 받침대, 가열수단을 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치를 이용하여 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 도가니 내부에 원료 물질을 장입하는 원료 물질 장입 단계, 접착제를 이용하여 종자정을 종자정 받침대에 부착하는 종자정 부착 단계, 상기 종자정이 부착된 종자정 받침대를 탄화수소 단결정 성장 장치 내에 인입시켜 도가니 내부 상부에 장착하는 종자정 받침대 장착 단계, 상기 가열수단을 이용하여 도가니를 성장 온도로 가열하여, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 단계, 및 상기 단결정 성장 단계에서 단결정 초기 성장시 실리콘 과잉 상태인 도가니 내부에서 원료 물질과 반응하여 실리콘 과잉 분위기를 억제하기 위한 억제 가스를 공급하는 억제 가스 공급 단계를 포함한다.</p> |
