| 摘要 |
<p>멤리스터 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 멤리스터 소자는 다양한 저항 스위칭 특성을 가지는 2 이상의 저항 변화 메모리 및 쇼트키(schottky) 다이오드를 포함하여 하나의 셀에서 필요에 따라 저항, 메모리 및 다이오드의 특성을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 멤리스터 소자의 제조방법은 상부 전극과 절연층과의 계면에서 발생하는 자발적인 산화 반응을 통해 형성된 저항 변화 메모리를 이용하고, 저항 변화 반도체층의 일부 영역에 금속층을 배치하여 쇼트키 다이오드를 형성함으로써 간단하고 용이하게 하나의 셀에 다수 개의 저항 변화 메모리와 다이오드를 포함하는 멤리스터 소자를 제조할 수 있다.</p> |
