Methods of depositing epitaxial thermoelectric films having reduced crack and/or surface defect densities and related devices

摘要

성장 표면을 포함하는 기판을 제공하고, 성장 표면은 기판의 결정학적 방위에 의하여 정의된 평면에 대하여 약 5도 내지 약 45도의 오프컷 각도로 오프컷된다. 열전기막은 성장 표면 상에 에피택셜하게 성장한다. 열전기막의 결정학적 방위는 성장 표면에 대하여 약 5도 내지 약 30도로 경사질 수 있다. 또한, 열전기막을 에피택셜하게 성장시키는 단계 이전에, 기판으로부터 돌출된 복수의 메사들을 정의하기 위하여 기판의 성장 표면을 패터닝할 수 있다. 관련된 방법들 및 열전기 소자들이 또한 논의된다.