反熔丝非挥发性记忆体之写入与读取电路;WRITE AND READ CIRCUIT FOR ANTI-FUSE NON-VOLATILE MEMORY

摘要

本发明系关于一种反熔丝非挥发性记忆体之写入与读取电路，该写入与读取电路系特别针对以NOI元件结构为主的一次写入型非挥发性记忆体元件所设计，系能够用以对一NOI反熔丝非挥发性记忆体进行位元写入与位元读取之动作。并且，若使用者欲透过反熔丝(anti fuse)的方式将一记忆位元写入NOI金氧半场效电晶体之内，则可藉由本发明电路中的写入单元将一高电压写入NOI金氧半场效电晶体之汲极端，进而于NOI元件的汲极端与源极端之间造成击穿崩溃效应(Punch Through Breakdown)，完成该记忆位元之写入。并且，透过本发明之读取电路，使用者自该NOI金氧半场效电晶体之中将该写入位元读出。