碳化矽之结晶成长方法;METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE CRYSTAL

摘要

本发明为在藉由熔液法之碳化矽之结晶成长方法中，使用以SiC为主成分的坩埚来作为Si-C熔液之收容部。使金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu所成的第一群、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu所成的第二群、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn所成的第三群的至少1个群中的至少1种的金属元素)含有于前述Si-C熔液中，加热该坩埚，使以坩埚的主成分之SiC为来源的Si及C，从与Si-C熔液接触的坩埚表面的高温领域溶出至Si-C熔液内。藉此以抑制在与Si-C熔液接触的坩埚表面的SiC多晶之析出。