相变存储单元;PHASE CHANGE MEMORY CELL

摘要

本发明提供一种相变存储单元，所述相变存储单元包括：一资料写入电路，该资料写入电路包括依次串联的一第一电极、一奈米碳管线及一第二电极，用于相变存储单元工作过程中的资料写入；一资料读取电路，该资料读取电路包括依次串联的一第三电极、一相变层、所述奈米碳管线及所述第一电极或第二电极，用于相变存储单元工作过程中的资料读取；其中，所述奈米碳管线具有一弯折部，所述第三电极与所述弯折部间隔设置，所述相变层至少覆盖所述奈米碳管线的弯折部并与所述第三电极电连接。